RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
29
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
3167
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link