RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
71
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
1863
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link