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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
19200
Rund um 1.22 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
23400
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
3093
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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