RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
2633
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link