RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
15.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
3768
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link