RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
41
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2394
3668
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link