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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
3418
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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