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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
2515
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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