RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
76
Rund um 70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
1260
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link