RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2412
2708
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link