RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
74
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2412
1825
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link