RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2282
2419
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link