RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gesamtnote
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
6.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2282
1832
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link