RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
44
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2193
2976
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link