RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
44
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
17.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2193
3954
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Team Group Inc. 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link