RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2483
3043
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link