RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
55
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2597
2701
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1600 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link