RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
52
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,837.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
794
3521
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link