RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
52
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,837.1
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
17.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
794
4072
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link