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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
96
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
2,027.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,837.1
6.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
4.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
794
992
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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