Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Gesamtnote
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    52 left arrow 64
    Rund um 19% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16.8
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 2,027.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 64
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,837.1 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,027.0 left arrow 8.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    794 left arrow 2052
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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