RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
2727
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link