RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
22.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
4012
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link