RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
2416
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link