RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
3373
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link