RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
3786
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link