RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
2288
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link