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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
5.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
1740
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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