RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
64
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2566
2197
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link