RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3043
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link