RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3205
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link