RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2277
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link