RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3167
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link