RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2308
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link