RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2283
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link