RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2633
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link