RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
39
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
2638
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link