RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
39
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
3079
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link