RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
3636
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link