RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
51
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
2570
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link