RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
2014
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link