RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3027
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link