Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 26
    Rund um 4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.2 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    17.3 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 18.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 17.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2045 left arrow 3938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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