RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3733
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link