RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2332
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link