RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
25
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3359
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link