RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3039
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link