RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3208
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link