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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2627
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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