RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2286
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link